国家/地区 中国（661） 美国（512） 世界知识产权组织（307） 韩国（289） 日本（147） 欧洲专利局（EPO）（144） 印度（69） 台湾（68） 德国（24） 英国（17） 加拿大（16） 巴西（13） 澳大利亚（12） 新加坡（12） 俄罗斯（6） 法国（4） 香港（4） 意大利（4） 越南（4） 西班牙（3）
IPC部 G（1318）
IPC大类 H01（1318）
IPC小类 H01L（804） G01N（342） H01B（219）
C01B（191） G02B（178） B82Y（172）
G02F（146） G06F（143） G01J（126）
H01M（126） H01Q（112） G03F（85）
G01R（69） B32B（59） G11C（58）
IPC H01L029/16（118） H01B001/04（93） H01B005/14（88）
G01N027/414（83） B82Y030/00（82） B82Y040/00（81）
H01B013/00（80） C01B031/04（73） G06F003/041（69）
G02B005/00（68） H01L051/00（63） H01L021/02（61）
H01L029/786（61） H01Q017/00（57） H01L031/028（54）
发明人 LI J（26） WANG Y（24） WANG J（22）
LI Y（21） ZHANG Y（21） LIU Z（18）
SHIN H（18） WANG H（18） CHEN L（17）
KIM S（17） KIM J（16） LI X（16）
LIU Y（16） WANG Z（15） YANG J（15）
公开年 2021（270） 2022（229） 2018（107） 2017（101） 2020（96） 2016（93） 2023（85） 2013（70） 2014（69） 2015（65） 2019（44） 2012（40） 2011（29） 2010（10） 2009（8）
申请年 2020（224）  2021（208）  2022（138）  2016（111）  2019（105）  2017（89）  2014（71）  2015（71）  2018（67）  2013（62）  2012（61）  2011（46）  2010（22）  2023（20）  2009（16）  2008（6） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（52） INT BUSINESS.（20） BOE TECHNOLO.（19） UNIV SUNGKYU.（16）
FUJITSU LTD（15） NOKIA TECHNO.（15） SAMSUNG DISP.（15） SHENZHEN CHI.（14）
UNIV CALIFOR.（14） TOSHIBA KK（13） UNIV CHINA J.（13） UNIV SINGAPO.（11）
UNIV XIAN JI.（11） ELECTRONICS .（9） LG DISPLAY C.（9） UNIV YONSEI .（9）
KOREA ADVANC.（8） KOREA INST S.（8） NOKIA CORP（8） TAIWAN SEMIC.（8）

Heat-releasing chemical bag for use as hand warmer for warming exposed body parts such as hand, comprises flexible water-tight polyvinyl chloride bag, suspension of sodium acetate trihydrate, water, and nanomaterials packaging in water-tight bag, and triggering element mounted in water-tight bag.

PARK K Y, TIWARI S K, KAFLE B P

Synthesisizing nickel-manganese-sulfur decorated reduced graphene oxide nanocomposite for ultra-fast photocatalytic degradation of organic dyes, involves adding manganese chloride tetrahydrate into stirring solution and treating homogeneous suspension with cetyltrimethyl ammonium bromide.

SASIPRABA T, GOVINDHASAMY M

High-performance microbolometer for defense and commercial systems applications, comprises vanadium oxide and carbon nanotubes or graphene.

ZELLER J W, SOOD A K

Method for fabricating two-dimensional channel transistor involves growing hexagonal-boron nitride layer on substrate, selectively etching hexagonal-boron nitride layer by exposing hexagonal-boron nitride layer to sulfur hexafluoride plasma gas, and treating etched layer in potassium hydroxide.

SHRIVASTAVA M, RAWAT J S, MEERSHA A

Method for preparing carbonaceous insulating layer of electron beam induced photoresist growth, involves utilizing organic solution to clean substrate by electron beam and wash photoresist solid film, and forming carbonaceous insulating layer after leaving electron beam irradiation under substrate.

HAO L, LI R, YU K, TIAN H, MA L

Antenna used in radio-frequency identification tag for inner plastic tray of article used for microwaveable packaging food product, comprises carbon filler containing functionalized graphene particles dispersed in polymer matrix material.

JONES E O, HOWE T H, EDWARDS L E, VYAS N, SEYMOUR J

Graphene optical sensor for use in e.g. night vision device, has set of plasmonic antennas provided on surface of graphene layer between first and second electrodes and arranged periodically in first direction and second direction.

YAMASHITA H

Biosensor used e.g. for modular virus sensing platform, comprises multiplexed array of electrolyte-gated FET, separating walls on upper surface of multiplex array, and walls fluidically separating each of FETs.

AKINWANDE D, KIREEV D, KUMAR N, TOWERS D

Semiconductor device comprises substrate, first heat dissipation layer provided on substrate and extending in first direction, and metal layer provided on first heat dissipation layer and extending in first direction, and first heat dissipation layer has structure made of carbon atoms.

JEONG M H, RHO H, LEE S H, RHO H K, CHUNG M H

Semiconductor device e.g. resistive RAM, for use in electronic device, has variable resistance layer arranged between first and second conductive lines, and electrode layer including graphene and arranged between resistance layer and selector layer.

SHIN G H, SHIN G